供应石久SiO2二氧化硅靶 高纯二氧化硅 陶瓷靶
详细描述
化学符号:SiO2 | 沸 点:2230℃ |
分 子 量:60.08 | 外 观:透明 |
熔 点:1700℃ | 密 度:2.2-2.7g/cm³ |
在10-4Torr真空下蒸发温度为:1025℃
纯度:4N
透 明 区/nm:200-8000
相对介电常数:3-4
击穿电压/V•cm-1:106
厚 度μm:0.03-0.3
沉积技术:反应溅射
折 射 率(波长/nm):1.46(500)
1.445(1600)
线膨胀系数/℃-1:5.5×10-7
蒸发方式:电子束
性 能: 可用钽舟加热蒸发,也可用三氧化二铝坩埚加热蒸发,但由电阻加热蒸发会产生分解,由电子束加热蒸发效果很好;不溶于水和酸,但溶于****酸;其微粒能与熔融碱起作用;
应 用: 二氧化硅用途**,主要用于冷光膜、防反膜、多层膜、滤光片、**缘膜、眼镜膜、紫外膜等。
透 明 区/nm:200-8000
相对介电常数:3-4
击穿电压/V•cm-1:106
厚 度μm:0.03-0.3
沉积技术:反应溅射
折 射 率(波长/nm):1.46(500)
1.445(1600)
线膨胀系数/℃-1:5.5×10-7
蒸发方式:电子束
性 能: 可用钽舟加热蒸发,也可用三氧化二铝坩埚加热蒸发,但由电阻加热蒸发会产生分解,由电子束加热蒸发效果很好;不溶于水和酸,但溶于****酸;其微粒能与熔融碱起作用;
应 用: 二氧化硅用途**,主要用于冷光膜、防反膜、多层膜、滤光片、**缘膜、眼镜膜、紫外膜等。